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儲能變流器PCS中SiC碳化硅MOSFET會加速替代IGBT
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風電變流器中SiC碳化硅MOSFET模塊會替代IGBT模塊
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伺服驅(qū)動器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT
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  • 一:黑色碳化硅微粉,性脆而鋒利,并具有較好的導(dǎo)熱性和導(dǎo)電性?! ∥⒂^形狀呈六方晶體,碳化硅的莫氏硬度為9.2,威氏顯微密硬
  • 2018-07-25 09:02  [安徽滁州市]
  •    鳳陽匯精亞納米新材料科技有限公司  [未核實]
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